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李佩文教授訪問信息學院并作通識講座

發布日期:2018年11月07日 08:13 點擊次數:

[本站訊]11月4日,臺灣交通大學李佩文教授受邀訪問信息科學與工程學院,并為學院師生帶來了題為“A Revisit of Germanium that Reemerges as the Savior of Si Electronics and Photonics ”的通識講座。信息學院陳杰智教授主持講座。

本次報告是對硅電子與光子學的救世主——鍺元素的重新審視。首先,報告回顧了過去幾十年通用電氣晶體管和集成電路演化的重要歷程。Ge金氧半場效晶體管的挑戰包括Ge在Si上的增長、Ge通道的柵氧化完整性以及摻雜技術。隨后,李佩文教授分享了最近在Ge納米球/Si02/SiGe異質結構的單步生長方面的研究進展,并指出,自組織、門狀堆疊等異質結構主要包括鍺納米球、二氧化硅和鍺硅槽,精確控制并有效利用在氧、硅和鍺間的濃度之間的動態平衡,可以在一個單一的氧化過程中同時產生這些異質結構。此外,李佩文教授還指出,研究過程中實現了鍺納米球通道長度(5-95納米直徑)、柵氧化層厚度(2.5-4.8納米)以及鍺納米通道的晶體取向、化學成分和應變工程的過程控制可調諧性。這是實現Ge Mos器件支持Si納米電學(MOSFET、非易失性存儲器和單電子晶體管)和Si納米光子學(光電探測器和光源)的關鍵促成因素。最后,報告還指出,對于每個晶體方向,實驗中提出的高鍺含量、高應力SiGe外殼具有高度的結晶度,為基于Ge的MOS器件的制造提供了一個核心“構件”,最終目標是展示先進的基于Ge的Mos納米電子和納米光子器件。報告結束后,李佩文教授針對現場同學提出的問題進行了詳細解答。

李佩文,紐約哥倫比亞大學電子工程博士,臺灣交通大學(NCTU)電子研究所教授,曾擔任臺灣“中央大學”特聘教授(2006 - 2015)、電機工程系系主任(2007 - 2010)、納米科技總監(2012 - 2015)、IEEE杰出講師,為IEEE EDS VLSI技術和教育委員會服務,曾在SNW、EDTM、SSDM等多個重要會議委員會任職。于2008年被臺灣“中央通訊社”評為中國電機工程學會杰出教授(2015)、臺灣十大新星(科技)。其研究方向集中在實驗硅鍺納米結構和器件上,包括鍺量子點單電子晶體管、光電探測器、非易失性存儲器和節能/收獲(光伏和熱電)器件,利用硅集成技術中的自組裝納米結構。


【供稿單位:信息學院    作者:李文陽 戴子翔             編輯:新聞中心總編室    責任編輯:曲賽賽 張丹丹  】

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